Alp22.ru

Промышленное строительство
0 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Типы транзисторов и их параметры

Типы транзисторов и их параметры

Прежде чем изучить типы транзисторов, необходимо четко понимать, что такое транзистор и как он работает, это очень важно для правильного понимания информации ниже.

Основные типы и виды транзисторов в электронике

Как хорошо видно из рисунка все современные типы транзисторов делятся на три больших вида, самый распространенный тип это биполярные, именно их работу мы и вспоминали, чуть ранее. чуть менее распространены полевые или униполярные трехвыводные полупроводниковые приборы. И третий тип — это IGBT-транзисторы (На русский язык эта абривиатура переводиться как биполярный транз. с изолированным затвором или БТИЗ).

Все биполярные транзисторы, в зависимости от структуры полупроводника из которого они изготовлены подразделяются на два вида – NPN и PNP структуры. Этими буквенными обозначениями определяется порядок наложения слоев проводимости. Такими слоями являются pn-переходы в полупроводниках. Просто посмотрев на любой полупроводник, невозможно ничего сказать о его внутренней полупроводниковой структуре, расположенной внутри корпуса. Поэтому почти на все корпуса, независимо от исполнения наносят соответствующую маркировку.

Условно биполярник можно представить в виде пластины кристалла с меняющимися областями разной проводимости, состоящих из двух p-n переходов. Причем крайние области обладают проводимостью одного типа, а средняя область соответственно другого типа, каждая из областей биполярника имеет свой персональный вывод.

NPN и PNP структуры совершенно разные. Поэтому их не в коем случае нельзя заменять между собой, без существенного изменения схемы включения.

Полевой транзистор или униполярный. Его работа основана на принципах изменения сопротивления полупроводника поперечным электрическим полем.

Они также имеют три вывода, которые называют затвор, сток и исток. В данном случае, на затвор воздействует не ток, а напряжение. Эти униполярные устройства отличаются различной полярностью.

Классификация полевых транзисторов следующая — они бывают двух видов с управляющим p-n-переходом и со структурой металл-диэлектрик-полупроводник.

В униполярниках с управляющим PN-переходом (в зарубежных источниках JFET типа) область N-типа образует тонкий канал между областями P-типа. Электроды, подключаемы к концам N, получили название сток и исток. Зоны P-типа соединяются между собой и образуют один электрод называемый затвор. Вблизи выводов стока и истока находятся области повышенного легирования с повышенной концентрацией электронов N.

Другой разновидностью полевого транзистора , является униполярный прибор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника небольшим слоем диэлектрика. ( MOSFET транзистор). Все MOSFETы бывают двух типов – с индуцированным и встроенным каналом.

По материалам лекции из курса электроники Принцип работы полевого транзистора

К последнему типу можно отнести IGBT транзисторы работа которых представляет собой сочетание полевого и биполярного транзистора. Они унаследовали только положительные свойства и тех и других типов.

Еще один интересный тип транзистора, рассмотрим Принцип работы IGBT транзистора, он состоит в том, что полевой транзистор осуществляет управление мощным биполярным. Поэтому переключение мощной нагрузки может происходить при низкой управляющей мощности, так как управляющий сигнал приходит на затвор полевого транзистора. Внутренняя структура такого прибора – это каскадное подсоединение двух электронных входных ключей, управляющих оконечным плюсом. На рисунке ниже показана укрощенная схема IGBT.

Радиолюбительские базы данных, справочники, в удобном формате PDF. В сборнике присутствует информация о многих популярных у радиолюбителей моделях.

Каждый полупроводниковый прибор, в том числе и транзистор, имеет свое уникальное обозначение или маркировку, по которой можно его узнать из кучи других радиокомпонентов.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Применение. Типы, виды, категории, классификация.

Биполярный транзистор (БТ) — электронный прибор, который используется практически во всех современных электронных схемах, или как отдельный элемент, или в составе интегральных микросхем. Что такое биполярный транзистор?

Настоящая статья является заглавной для цикла, посвященного схемотехнике биполярных транзисторов. Планируется выход еще ряда статей. Подпишитесь, чтобы узнавать о выходе новых статей, если Вам это интересно.

Математическая модель биполярного транзистора. Обозначение.

Вашему вниманию подборка материалов:

Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам

Биполярный транзистор имеет три вывода. Выводы называются: Эмиттер, Коллектор, База. Биполярный транзистор обладает следующим свойством, обуславливающим его применение. [ток цепи коллектор — эмиттер] = h * [ток цепи база — эмиттер]. h — коэффициент передачи тока. С точки зрения инженера — схемотехника любой прибор, обладающий таким свойством, может называться транзистором вне зависимости от его внутреннего устройства.

Биполярный транзистор позволяет силой одного тока регулировать силу другого.

Биполярный транзистор может быть устроен так, что ток втекает через базу или коллектор и вытекает через эмиттер, то есть на базу и коллектор подается положительное напряжение относительно эмиттера. Про такой транзистор говорят, что он имеет структуру NPN. У других биполярных транзисторов ток вытекает через базу или коллектор и втекает через эмиттер, то есть на базу и коллектор подается отрицательное напряжение относительно эмиттера. Про такой транзистор говорят, что он имеет структуру PNP.

Читайте так же:
Как оценить сварочные работы

На схемах биполярный транзистор обозначается, как показано на рисунке.

Идеальный биполярный транзистор

Идеальный БТ имеет фиксированный, постоянный, не зависящий от тока и внешних условий, например, температуры, коэффициент передачи тока. Он не имеет внутреннего сопротивления, индуктивности, емкости. Регулирование тока происходит мгновенно, без задержки во времени.

Ток базы не зависит от напряжения, входное сопротивление стремится к нулю, то есть изменение тока базы не приводит к изменению напряжения на базе относительно эмиттера.

Идеальный биполярный транзистор никогда не нагревается, так как имеет совершенное охлаждение. Идеальный БТ имеет нулевые размеры, не занимает место на плате. Он не шумит. Его выходной ток строго зависит от входного, без посторонних помех.

Идеальный биполярный транзистор выдерживает любое напряжение и любой ток. У идеального БТ ток коллектора не зависит от напряжения коллектор — эмиттер, которое может изменяться от нуля до бесконечности.

Реальные биполярные транзисторы. Классификация, виды, типы.

Если бы БТ на самом деле был идеальным, то нужен был бы всего один тип транзистора — ПИБТ (просто идеальный биполярный транзистор). Его можно было бы применять во всех схемах. В реальности все не так хорошо. Причем улучшение одних параметров транзистора, обычно приводит к ухудшению других. Именно этим обусловлено наличие большого разнообразия типов и видов транзисторов, так как для различных схем важны некоторые определенные параметры, но не важны другие, ими можно пожертвовать.

Реальный биполярный транзистор обладает коэффициентом передачи тока, зависящим от самого тока, температуры, частоты и еще ряда внешних параметров. Значения коэффициента передачи тока могут быть от 8 до 1000 и более.

Реальный БТ обладает индуктивностью выводов (как будто последовательно с выводами подключили маленькие катушки индуктивности) и емкостью между коллектором и эмиттером, коллектором и базой, базой и эмиттером. Эти параметры влияют на применимость БТ в высокочастотных схемах. В зависимости от них различают низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные биполярные транзисторы

Реальный БТ обладает внутренним сопротивлением (как будто последовательно с выводами подключили маленькие резисторы), ограниченными возможностями по рассеиванию тепла, которое неизбежно выделяется при работе прибора, некоторым конечным напряжением насыщения коллектор — эмиттер (если напряжение на коллекторе меньше, то ток через коллектор не пойдет, даже если в цепи базы ток есть). Напряжение насыщения коллектор — эмиттер — очень важный параметр, так как он влияет на потери и нагрев, когда транзистор работает в ключевом режиме, ведь потери мощности в ключевом режиме, когда транзистор открыт, как раз равны току коллектора умножить на напряжение насыщения коллектор — эмиттер. Таким образом, биполярные транзисторы подразделяются на маломощные, средней мощности и мощные. Кроме того, выделяют биполярные транзисторы — ключи, специально предназначенные для работы в режиме ключа.

Реальный БТ имеет ограничения сверху по напряжению коллектор — эмиттер. Превышение этого напряжения чревато пробоем и разрушением элемента. В зависимости от максимального напряжения коллектор — эмиттер биполярные транзисторы разделяют на низковольтные и высоковольтные.

Еще выделяют малошумящие и термостабильные биполярные транзисторы.

Особенности применения биполярных транзисторов в схемах

Главной бедой транзисторной схемотехники является то, что ей предшествовала ламповая. Большинство схематических решений, которые сейчас применяются, заимствованы из того периода и адаптированы под особенности транзисторов. Однако при всей своей кажущейся схожести, на самом деле электронная лампа и транзистор — приборы совершенно разные. У электронной лампы ток выходной цепи регулируется напряжением во входной, а у транзистора — током во входной цепи. Это отличие — принципиальное для схемотехники.

Попытка адаптировать решения для электронных ламп под транзисторы обычно сводит на нет все их преимущества. Получается на корове седло. Пересмотр многих схемных решений, создание именно транзисторных схем во многих областях еще ждет своего часа.

1 2

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!
Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Проверка биполярного, полевого транзисторов, МОП, FET, MOSFET. Провери.
Как проверить исправность биполярного и полевого транзисторов. Методика испытани.

Практика проектирования электронных схем. Самоучитель электроники.
Искусство разработки устройств. Элементная база радиоэлектроники. Типовые схемы.

Транзисторы КТ503, 2Т503. Справочник, справочные данные, параметры, цо.
Характеристики и применение биполярных транзисторов КТ503 (КТ503А, КТ503Б, КТ503.

Повышающие переменное, постоянное напряжение бестрансформаторные преоб.
Повышение напряжения без трансформатора. Умножители. Рассчитать онлайн. Преобраз.

Принцип работы, разновидности и устройство транзистора

Общие сведения

Любое электронное устройство состоит из радиоэлементов. Они могут быть пассивными, не требующими источника питания, и активными, работа которых возможна только при подаче напряжения. Активными элементами называют полупроводники. Одним из важнейших полупроводниковых приборов является транзистор. Этот радиоэлемент пришёл на смену ламповым приборам и полностью изменил схемотехнику устройств. Вся микроэлектроника и работа любой микросхемы базируется именно на нём.

Общие сведения

Электронно-дырочный переход

Название «транзистор» произошло от слияния двух английских слов: transfer — переносимый, и resistor — сопротивление. В общепринятом понятии это полупроводниковый элемент с тремя выводами. В нём величина тока на двух выводах зависит от третьего, при изменении на котором тока или напряжения происходит управление значением тока выходной цепи. Вариацией тока управляются биполярные приборы, а напряжением — полевые.

Читайте так же:
Как вкрутить саморез в бетонную стену

Первые разработки транзистора были начаты в XX веке. В Германии учёный Юлий Эдгар Лилиенфельд описал принцип работы транзистора, а уже в 1934 году физиком Оскаром Хейл был зарегистрирован прибор, названный позже транзистором. Такое устройство работало на электростатическом эффекте поля.

Физики Уильям Шокли, Уолтер Браттейн вместе с учёным Джоном Бардином в конце 40-х годов изготовили первый макет точечного транзистора. С открытием n-p перехода выпуск точечного транзистора прекратился, а вместо него начались разработки плоскостных устройств из германия. Официально представлен был действующий прототип транзистора в декабре 1947 года. В этот день появился первый биполярный транзистор. Летом 1948 года начались продаваться устройства, выполненные на транзисторной основе. С этого момента распространённые на тот момент электронные лампы (триоды) начали уходить в прошлое.

Классификация устройств

В середине 50-х годов первый плоскостной транзистор был выпущен в серию компанией Texas Instruments, в качестве материала для его изготовления послужил кремний. На тот момент при производстве радиоэлемента выходило много брака, но это не помешало технологическому развитию прибора. В 1953 году на транзисторах была изготовлена схема, использующаяся в слуховых аппаратах, а годом позже американские физики получили за своё открытие Нобелевскую премию.

Март 1959 года ознаменовался созданием первого кремниевого планарного прибора, его разработчиком был физик из Швейцарии Жан Эрни. Пара транзисторов была успешно размещена на одном кристалле кремния. С этого момента и началось развитие интегральной схемотехники. На сегодняшний день в одном кристалле размещается более миллиарда транзисторов. Например, на популярном 8-ядерном компьютерном процессоре Core i7−5960X их количество составляет 2,6 миллиарда штук.

Параллельно с усовершенствованиями биполярного транзистора в 60-х годах начались разработки прибора на основе соединения металла с полупроводником. Такой радиоэлемент получил название МОП (металл-оксид-полупроводник) транзистор, сегодня более известный под обозначением «мосфет».

Изначально понятие «транзистор» относилось к сопротивлению, величина которого управлялась напряжением, поскольку транзистор можно представить как некий резистор, регулируемый приложенным потенциалом на одном выводе. Для полевых транзисторов, сравнение с которыми более верно, — потенциалом на затворе, а для биполярных транзисторов — потенциалом на базе или током базы.

Электронно-дырочный переход

Основа работы прибора заключается в способности n-p перехода пропускать ток в одну сторону. При подаче напряжения на одном переходе возникает его прямое падение, а на другом обратное. Зона перехода с прямым напряжением обладает малым сопротивлением, а с обратным — большим. Между базой и эмиттером протекает небольшой ток управления. От значения этого тока изменяется сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярный прибор бывает двух типов:

  • p-n-p;
  • n-p-n.

Отличие заключается лишь в основных носителях заряда, т. е. направлении тока.

Биполярный прибор

Если соединить два полупроводника разного типа между собой, то на границе соединения возникает область или, как принято называть, p-n переход. Тип проводимости зависит от атомного строения материала, а именно насколько прочны связи в материале. Атомы в полупроводнике располагаются в виде решётки, и сам по себе такой материал не является проводником. Но если в решётку добавить атомы другого материала, то физические свойства полупроводника изменяются. Примешанные атомы образовывают, в зависимости от своей природы, свободные электроны или дырки.

Образованные свободные электроны формируют отрицательный заряд, а дырки — положительный. В области перехода существует потенциальный барьер. Он образуется контактной разностью потенциалов, и его высота не превышает десятые доли вольта, препятствуя протеканию носителей заряда вглубь материала. Если переход находится под прямым напряжением, то величина потенциального барьера уменьшается, а величина проходящего через него тока увеличивается. При прикладывании обратного напряжения, величина барьера увеличивается и сопротивление барьера прохождению тока возрастает. Понимая работу p-n перехода, можно разобраться, как устроен транзистор.

Классификация устройств

В первую очередь такие приборы разделяются на одиночные и составные. Существуют и так называемые комплексные радиоэлементы. Они имеют три вывода и выполненны, как единое целое. Такие сборки содержат как однотипные, так и разные по своему типу транзисторы. Основное разделение приборов происходит по следующим признакам:

    Канальность. В зависимости от того, какие носители зарядов являются основными бывают p-типа и n-типа.
  1. Технологии изготовления. Выпускаются биполярными, полевыми, комбинированными.
  2. По типу полупроводника. В качестве материала для изготовления применяется кремний, германий и арсенид-галлия. В последнее время начали выпускаться транзисторы, использующие в качестве основы прозрачные полупроводники. Например, для построения дисплейных матриц. А также использующие в качестве материалов полимеры и углеродные нанотрубки.
  3. По рассеиваемой мощности. Разделяются на три типа: маломощные, средней мощности и мощные. Первые не превышают значения 0,1 Вт, вторые находятся в диапазоне 0,1−1 Вт, а к мощным относят все те, что превышают 1 Вт.
  4. По виду исполнению. Выделяют дискретные транзисторы, которые могут быть как корпусными, так и нет, и транзисторы, входящие в состав интегральных схем.
Читайте так же:
Как подключить тельфер 380

Общее определение для радиоэлемента можно сформулировать следующим образом: транзистор — это полупроводниковый элемент, предназначенный для преобразования электрических величин. Основное его применение заключается в усилении сигнала или работе в ключевом режиме.

Биполярный прибор

Принцип действия для чайников

Принцип работы транзистора для «чайника» проще описать по аналогии с водопроводом. Сам элемент можно представить в виде вентиля. Кран небольшим поворотом позволяет регулировать поток воды (силу тока). Если немного повернуть рукоятку, вода потечёт по трубе (проводнику), если приоткрыть кран ещё сильнее, поток воды также увеличится. Таким образом, выход потока воды пропорционален её входу, умноженному на определённую величину. Этой величиной называется коэффициент усиления.

Биполярный транзистор имеет три вывода: эмиттер, база, коллектор. Эмиттер и коллектор имеют одинаковый тип проводимости, который отличный от базы. Дырочного типа транзисторы состоят из двух областей p -типа проводимости, и одной n -типа. Электронного типа наоборот. Каждая область имеет свой вывод.

При подаче на эмиттер сигнала нужной проводимости ток в области базы увеличивается. Основные носители заряда перемещаются в зону базы, что приводит к возрастанию тока и в обратной области подключения. Возникает объёмный заряд. Электрическое поле начинает втягивать в зону обратного подключения носители другого знака. В базе происходит частичная рекомбинация (уничтожение) зарядов противоположного знака, благодаря чему и возникает ток базы.

Какой принцип работы транзистора

Эмиттером называют область прибора, служащую для передачи носителей заряда в базу. Коллектором называют зону, предназначенную для извлечения носителей заряда из базы. А база — это область для передачи эмиттером противоположной величины заряда. Основной характеристикой прибора является вольт-амперная характеристика, функция которой описывает зависимость между током и напряжением.

На схеме устройство подписывается латинскими буквами VT или Q. Выглядит как круг со стрелкой внутри, где стрелка указывает направление протекания тока. Для PNP (прямая проводимость) — стрелка внутрь, а NPN (обратная проводимость) — стрелка наружу. Для того чтобы сделать транзистор, используется германий или кремний. Отличаются эти материалы рабочей областью напряжения базового перехода. Для германиевых он лежит в диапазоне 0,1−0,4 В, а для кремниевых от 0,4 до 1,2 В. Обычно используется кремний.

Полевой транзистор

Отличие полевого транзистора от биполярного в том, что в нём за прохождение тока отвечает величина напряжения, приложенная к управляемому контакту.

Основное назначение мосфетов связывают с их хорошей скоростью переключения при весьма небольшой мощности, приложенной к выводу управления. Полевой элемент имеет три вывода: затвор, сток, исток. При работе мосфета с управляющим n-p переходом потенциал на затворе либо равен нулю (прибор открыт), или имеет определённое значение, превышающее ноль (прибор закрыт). Когда обратное напряжения достигает определённого уровня, то открывается запирающий слой, и устройство переходит в режим отсечки.

В мосфете с p-n переходом управляющим электродом (затвором) служит слой полупроводника, имеющий проводимость р-типа, а противоположной проводимости — канал n-типа.

Изображение его на схеме сходно биполярному устройству, только все линии выполняются прямыми, а стрелка внутри подчёркивает разновидность прибора. В основе принципа действия МОП приборов лежит эффект изменения проводимости полупроводника на границе области с диэлектриком при воздействии электрического поля. Полевые устройства в зависимости от управляемого p-n перехода могут быть:

    Со встроенным каналом. Работают в двух режимах: обеднения и обогащения. В первом режиме величина потенциала на затворе превышает значение на истоке, что приводит к снижению значения тока на нём. Если приложенный потенциал больше напряжения отсечки, то ток между выводами стока и истока отсутствует. При обогащении, наоборот, чем больше величина потенциала между выводами затвор-исток, тем больше ток стока.
  1. С индуцированным (наведённым) каналом. Для p-канального устройства при отсутствии потенциала на выводе затвор-исток ток стока близок к нулю. Такой тип работает только в режиме обогащения. При этом напряжение на выводах исток-затвор должно быть больше нуля. Когда это напряжение превысит значение порогового, то между стоком и истоком возникнет проводимость p-типа. Связано это с тем, что количество дырок под затвором увеличится. Это явление называется инверсией.

Каждый вид может иметь проводимость как p-типа, так и n-типа. В общем понимании принцип работы не зависит от проводимости, меняется только полярность источника напряжения.

Принцип действия для чайников

Транзистор

Транзистор — это сложный прибор, физические процессы проходящие в котором сложны для понимания начинающим радиолюбителям (чайникам). Как работает транзистор, можно объяснить следующим образом: транзистор — это электронный ключ, степень открывания которого зависит от уровня тока или напряжения, приложенного к его управляемому выводу (база или затвор).

Зачем нужен транзистор, можно описать в обобщённой форме. Например, база (затвор) прибора — это дверь. Она открывается внешним воздействием, т. е. напряжением той же полярности, что и коллектор (исток). Чем больше напряжение, тем дверь больше откроется. Перед дверью стоит очередь людей (носители заряда), которые хотят пробежать через неё (коллектор-эмиттер или исток-сток). Чем больше воздействие на дверь, тем больше она открыта, а значит, и больше пробежит людей.

Читайте так же:
Как правильно резать газом

Поэтому, представляя дверь в виде сопротивления перехода, можно сделать вывод: чем больше воздействие на базу (затвор), тем меньше сопротивление основным носителям заряда (людям) в случае прямой полярности. Если полярность поменяется (дверь закроется на замок), то никакого движения зарядов (людей) не будет.

Полупроводники. Транзистор

На этом занятии Школы начинающего радиолюбителя мы продолжим изучение полупроводников. На прошлом занятии мы рассматривали диоды, а на этом занятии рассмотрим более сложный полупроводниковый элемент – транзисторы.

Транзистор является более сложной полупроводниковой структурой, чем диод. Он состоит из трех слоев кремния (бывают еще и германиевые транзисторы) с разной проводимостью. Это могут быть структуры типа n-p-n или p-n-p. Функционирование транзисторов, также как и диодов, основывается на свойствах p-n переходов.

Центральный, или средний слой, называют базой (Б), а два других соответственно – эмиттер (Э) и коллектор (К). Следует отметить, что существенной разницы между двумя типами транзисторов нет, и многие схемы могут быть собраны с тем или другим типом, при соблюдении соответствующей полярности источника питания. На рисунке ниже приведено схемное изображение транзисторов, транзистор p-n-p отличается от транзистора n-p-n направлением стрелки эмиттера:

Выделяют два основных типа транзисторов : биполярные и униполярные, которые различаются по конструктивным особенностям. В рамках каждого типа существует много разновидностей. Главное различие этих двух типов транзисторов заключается в том, что управление процессами, происходящими в ходе работы прибора, в биполярном транзисторе осуществляется входным током, а в униполярном транзисторе – входным напряжением.

Биполярные транзисторы, как уже говорилось выше, представляют собой слоенный пирог из трех слоев. В упрощенном виде транзистор можно представить как два встречно включенных диодов:

(при этом, следует отметить, что переход база – эмиттер представляет собой обычный стабилитрон, напряжение стабилизации которого 7…10 вольт). Исправность транзистора можно проверить также как и исправность диода, обычным омметром, измеряя сопротивление между его выводами. Переходы, аналогичные имеющимся в диоде, существуют в транзисторе между базой и коллектором, а также между базой и эмиттером. На практике такой способ для проверки транзисторов используется очень часто. Если омметр подключить между коллекторным и эмиттерным выводами, прибор покажет разрыв цепи (при исправном транзисторе), что естественно так как диоды включены встречно. А это означает, что при любой полярности приложенного напряжения один из диодов включен в прямом направлении, а второй в обратном, поэтому ток проходить не будет.

Объединение двух пар переходов приводит к проявлению чрезвычайно интересного свойства, именуемого транзисторным эффектом. Если к транзистору между коллектором и эмиттером приложить напряжение, тока практически не будет (о чем и говорилось чуть выше). Если же произвести подключение в соответствии со схемой (как на рисунке ниже), где на базу через ограничивающее сопротивление (чтобы не повредить транзистор) подается напряжение, то через коллектор будет проходить ток более сильный чем ток базы. При повышении тока базы ток коллектора тоже будет увеличиваться.

С помощью измерительного прибора можно определить соотношение токов базы, коллектора и эмиттера. Это можно проверить простым способом. Если сохранить напряжение питания, к примеру на уровне 4,5 В, изменив значение сопротивления в цепи базы с R до R/2, ток базы удвоится, пропорционально увеличится и ток коллектора, к примеру:

U=4,5 В; сопротивление =RU=4,5 В; сопротивление =R/2
Iб=1 мАIб=2 мА
Iэ=100 мАIэ=200 мА
Iк=99 мАIк=198 мА

Следовательно, при любом напряжение на сопротивление R, ток коллектора будет в 99 раз больше тока базы, то есть транзистор имеет коэффициент усиления по току равный 99. Другими словами, транзистор усиливает ток базы в 99 раз. Этот коэффициент обозначают буквой ?. Коэффициент усиления равен отношению тока коллектора к току базы :

? = Iк/Iб

На базу транзистора можно подать и переменное напряжение. Но, необходимо, чтобы транзистор работал в линейном режиме . Для нормального функционирования в линейном режиме транзистору следует подать на базу постоянное напряжение смещения и подвести переменное напряжение, которое он будет усиливать. Таким образом транзисторы усиливают слабые напряжения, поступающие к примеру с микрофона, до уровня, который способен привести в действие громкоговоритель. Если коэффициент усиления не достаточен, можно использовать несколько транзисторов или их последовательных каскадов. Чтобы при соединении каскадов не нарушать режимов работы каждого из них по постоянному току ( при которых обеспечивается линейность), используют разделительные конденсаторы. Биполярные транзисторы обладают электрическими характеристиками, обеспечивающими им определенные преимущества по сравнению с другими усилительными компонентами.

Как мы уже знаем, существуют еще (кроме биполярных) и униполярные транзисторы . Коротко рассмотрим два их них – полевые и однопереходные транзисторы. Как и биполярные они бывают двух типов и имеют по три вывода:

Электродами полевых транзисторов являются: затвор – З, сток – С, соответствующий коллектору и исток – И, отождествляемый с эмиттером. Полевые транзисторы с n- и p- каналом различаются по направлению стрелки затвора. Однопереходные транзисторы, которые иногда называют двухбазовыми диодами, в основном используются в схемах генераторов импульсных периодических сигналов.

Читайте так же:
Какой краскопульт лучше для водоэмульсионной краски

Имеется три фундаментальных схемы включения транзисторов в усилительном каскаде:

? с общим эмиттером (а)

? с общим коллектором (б)

? с общей базой (в)

Биполярный транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером , в зависимости от выходного сопротивления источника питания R1 и сопротивления нагрузки Rн усиливает входной сигнал и по напряжению, и по току. Коэффициент усиления биполярного транзистора обозначается как h21э (читается: аш-два-один-э, где э – схема с общим эмиттером), и у каждого транзистора он разный. Величина коэффициента h21э (его полное название – статический коэффициент передачи тока базы h21э) зависит только от толщины базы транзистора (ее изменить нельзя) и от напряжения между коллектором и эмиттером, поэтому при небольшом напряжении (менее 20 В) его коэффициент передачи тока при любом токе коллектора практически неизменен и незначительно увеличивается при увеличении напряжения на коллекторе.

Коэффициент усиления по току – Кус.i и коэффициент усиления по напряжению – Кус.u биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, зависит от отношения сопротивления нагрузки (на схеме обозначено как Rн) и источника сигнала (на схеме обозначено как R1). Если сопротивление источника сигнала в h21э раза меньше сопротивления нагрузки, то коэффициент усиления по напряжению чуть меньше единицы (0,95…0,99), а коэффициент усиления по току равен h21э. Когда сопротивление источника сигнала более чем в h21э раза меньше сопротивления нагрузки, то коэффициент усиления по току остается неизменным (равным h21э), а коэффициент усиления по напряжению уменьшается. Если же, наоборот, входное сопротивление уменьшить, то коэффициент усиления по напряжению становится больше единицы, а коэффициент усиления по току, при ограничении протекающего через переход база-эмиттер транзистора тока, не изменяется. Схема с общим эмиттером – единственная схема включения биполярного транзистора, которая требует ограничения входного (управляющего) тока. Можно сделать несколько выводов: – базовый ток транзистора нужно ограничивать, иначе сгорит или транзистор, или управляющая им схема; – с помощью транзистора, включенного по схеме ОЭ, очень легко управлять высоковольтной нагрузкой низковольтным источником сигнала. Через базовый, а следовательно и коллекторный переходы протекает значительный ток при напряжении база-эмиттер всего 0,8…1,5 В. Если амплитуда (напряжение) больше этого значения – нужно поставить между базой транзистора и выходом управляющей схемы токоограничивающий резистор (R1). Рассчитать его сопротивление можно по формулам:

Ir1=Irн/h21э R1=Uупр/Ir1 где:

Irн – ток через нагрузку, А; Uупр – напряжение источника сигнала, В; R1 – сопротивление резистора, Ом.

Еще одна особенность схемы с ОЭ – падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер транзистора можно практически уменьшить до нуля. Но для этого надо значительно увеличивать базовый ток, что не очень выгодно. Поэтому такой режим работы транзисторов используют только в импульсных, цифровых схемах.

Транзистор, работающий в схеме усилителя аналогового сигнала , должен обеспечивать примерно одинаковое усиление сигналов с разной амплитудой относительно некоторого “среднего” напряжения. Для этого его нужно немножко “приоткрыть”, постаравшись не “переборщить”. Как видно из рисунка ниже (левый):

ток коллектора и падение напряжения на транзисторе при плавном увеличении тока базы вначале изменяются почти линейно, и лишь потом, с наступлением насыщения транзистора, прижимаются к осям графика. Нас интересуют только прямые части линий (до насыщения) – очевидно, что они символизируют линейное усиление сигнала, то есть, при изменении управляющего тока в несколько раз во столько же раз изменится и ток коллектора (напряжение в нагрузке).

Форма аналогового сигнала показана на рисунке выше (справа) . Как видно из графика, амплитуда сигнала постоянно пульсирует относительно некоего среднего напряжения Uср, причем она может как увеличиваться, так и уменьшаться. Но биполярный транзистор реагирует только на увеличение входного напряжения (вернее тока). Вывод: нужно сделать так, чтобы транзистор даже при минимальной амплитуде входного сигнала был немножко приоткрыт. При средней амплитуде Uср он откроется чуть сильнее, а при максимальной Umax откроется максимально. Но при этом он не должен входить в режим насыщения (см.рис. выше) – в этом режиме выходной ток перестает линейно зависеть от входного, в следствии чего происходит сильное искажение сигнала.

Обратимся снова к форме аналогового сигнала. Так как и максимальная и минимальная амплитуды входного сигнала относительно средней примерно одинаковы по величине (и противоположны по знаку), то нам нужно подать на базу транзистора такой постоянный ток (ток смещения – Iсм), чтобы при “среднем” напряжении на входе транзистор был открыт ровно наполовину. Тогда при уменьшении входного тока транзистор будет закрываться и ток коллектора будет уменьшатся, а при увеличении входного тока он будет открываться еще сильнее.

голоса
Рейтинг статьи
Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector