Alp22.ru

Промышленное строительство
2 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Кт 815 транзистор параметры цоколевка

Кт 815 транзистор параметры цоколевка

а все таки может сделать?? вопрос спортивный, а точнее — на 5м курсе то делать нечего, а руки и голова не зря растут))

на сейчас имеется:

1. транс 2 по 13В 1.2А
2. 2 КТ814а
3. 2 КТ815б
4. микруха TL072
5. пару жмень еще каких то деталек.
6. куча транзисторов (ну на вид они такие) от БП компов

Цель:
получить навыки и умения, не тратить деньги

Задание:
получить пару десятков честных ват для 18ти ватных Свэнов. ТДА1557 — вытрепала нервы.

что на сегодня накопал:

№1
Изображение

вместо T1 поставить TL072, и отзеркалить схему вниз. у TL072 2 транзистора в корпусе ведь.
только вместо КТ814Б поставить КТ814А

я несу бред?? возможно.

JLCPCB, всего $2 за прототип печатной платы! Цвет — любой!

Зарегистрируйтесь и получите два купона по 5$ каждый:https://jlcpcb.com/cwc

спасибо.
что то другое меня сейчас не интересует) есть цель.

как вам?? по моему как 2 транзистора на предусилении работает TL072.

поправьте, я не силен. я картинки гуглю только

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Рассмотрим особенности, характеристики и технологии проектирования продукции RECOM: AC/DC-преобразователи для установки на плату и для внешнего монтажа, изолированные DC/DC-преобразователи, импульсные регуляторы и силовые модули, а также средства отладки для поддержки разработчиков и ускорения выхода разработок на рынок.

Создать интеллектуальный пожарный датчик, который будет не только оповещать о возгорании, а способен легко интегрироваться в системы умного дома или предприятия и выполнять ряд дополнительных действий, возможно с компонентами STMicroelectronics: высокопроизводительным радиочастотным трансивером S2-LP и малопотребляющим усилителем TSV629x. Рассмотрим подробнее это решение, отладочные комплекты и программный пакет ST.

Отнюдь.Задача вполне реальная, даже более чем. чисто гипотетически может получиться вполне сносный усилитель. как это сделать?посмотрите схему магнитофона "Нота". или же скрестить ОУ с ВК Агеева-гарантировано около 10-и Вт получите.

Вся проблема в том (я не знаю почему так получается), что молодое поколение разучилось самостоятельно добывать информацию. примите это к сведению, и ваш вопрос рассосется сам собой, без этого форума.

а мы не знаем где искать. мы не знаем о существовании многого, поэтому и не можем самостоятельно "думать".
как же думать, если в голове пусто? книжки читать?? как по мне — не вариант. читать все подряд и не понимать о чем идет речь — типичная наша система образования в универе. куча книжек, куча формул, а в итоге спаявши ТДА7294 я узнал намного больше, чем за 3 года лекций по електрике. вот я и делаю выводы: нужно ставить цель, спросить дядек (ведь для этого форум), а они умело пнут в правильном направлении по конкретному вопросу. вот и знания появляются, которые очень хорошо закрепляются паяльником и дымовой завесой в комнате.
дорогу осилит идущий (с)
а не знающий о существовании дороги.
имхо.

пинайте меня, я только рад

Тогда начать следует с источника питания.Любой усилитель рассчитавается с "зада наперед", т.е в нашем случае с источника питания.У вас есть данные обмоток,составьте схему и хотя бы рассчитайте напряжение на холостом ходу. 5-ый курс все-такии

транс от колонок Свэн по 18Вт на ТДА2030а

решил отремонтировать этот усь, получилось, пел неделю в общаге. отвез домой — бах бабах. 1 микруха покраснела и на 2е разлетелась. следом и вторая. ремонтировал еще, но тоже самое — покраснения и взрывы. забил не это китайское отродие. в планах спаять ТДА2050 для этих колонок. ну а пока что на этом трансе соберу то что хочется, а точнее — имеется.

МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ

Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с двумя или более p-n-переходами и тремя или более выводами, который предназначен для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Наиболее широко применяются биполярные и полевые транзисторы. У полевых транзисторов управление выходным током производится с помощью электрического поля. Также полевые транзисторы имеют низкий уровень собственных шумов, что дает возможность использовать их в первых каскадах высококачественных усилителей звуковой частоты. Полевые транзисторы имеют три электрода: исток, затвор и сток. Электроды полевого транзистора в определенной степени соответствуют электродам биполярного транзистора — эмиттеру, базе и коллектору.

Читайте так же:
Ласточкин хвост соединение дерева

Управление величиной протекающего в выходной цепи (в цепи коллектора или эмиттера) биполярного транзистора тока осуществляется с помощью тока в цепи управляющего электрода — базы. Базой называется средний слой в структуре транзистора. Крайние слои называются эмиттер (испускать, извергать) и коллектор (собирать). Концентрация примесей (а, следовательно, и основных носителей зарядов) в эмиттере существенно больше, чем в базе и больше, чем в коллекторе. Поэтому эмиттерная область самая низкоомная.

УСЛОВНОЕ ОБОЗНАЧЕНИЕ ТРАНЗИСТОРА (НОВАЯ СИСТЕМА)

Условное обозначение состоит из 5 элементов.

ПЕРВЫЙ элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов:

  • Г или 1 — германий или его соединения;
  • К или 2 — кремний или его соединения;
  • А или 3 — арсенид галлия;
  • И или 4 — соединения индия.

ВТОРОЙ элемент указывает на тип транзистора:

  • Т — биполярный;
  • П — полевой.

ТРЕТИЙ элемент (цифра) указывает на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности (Pmax<0,3 Вт):
1 — маломощный низкочастотный (fгр<3 МГц);
2 — маломощный среднечастотный (3< fгр< 30 МГц);
3 — маломощный высокочастотный (30<fгр<300 МГц).

Транзисторы средней мощности (0,3<Рmах<1,5 Вт):
4 — средней мощности низкочастотный;
5 — средней мощности среднечастотный;
6 — средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности (Рmах>1,5 Вт):
7 — большой мощности низкочастотный;
8 — большой мощности среднечастотный;
9 — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (fгр>300 Гц).

ЧЕТВЕРТЫЙ элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.
ПЯТЫЙ элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.

Например, транзистор КТ540Б, расшифровывается так: К — кремниевый транзистор, Т — биполярный, 5 — средней мощности среднечастотный, 40 — номер разработки, Б — группа.

КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ

Транзисторы могут маркироваться или буквенно-цифровым кодом, иди кодом, состоящим из геометрических фигур. По коду можно узнать тип транзистора, месяц и год изготовления. Места маркировки и расшифровка цветовых кодов некоторых типов транзисторов приведены ниже.

Маркировка транзисторов - кодовое обозначение.

Иногда транзисторы маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно-цифрового кода: КТ814 — серо-бежевый, КТ815 — серый или сиренево-фиолетовый, КТ816 — розово-красный, КТ817 — серо-зеленый, КТ683 — фиолетовый, КТ9115 — голубой.

Кодовая маркировка транзисторов.

ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ

Транзисторы маркируют с помощью цветового кода. Цветовой код состоит из изображения геометрических фигур (треугольников, квадратов, прямоугольников и др.), цветных точек и латинских букв.

Цветовая маркировка транзисторов.

Примеры цветовой маркировки некоторых транзисторов:

Цветная маркировка транзисторов.

Каждый завод, который производит транзисторы, имеет свои кодовые и цветовые обозначения. В этом случае их можно отличить только по некоторым дополнительным признакам, например, по длине выводов коллектора и эмиттера, по торцевой окраске (противоположной выводам) поверхности транзистора.

ЦОКОЛЕВКА ТРАНЗИСТОРОВ (РАСПОЛОЖЕНИЕ ВЫВОДОВ)

Биполярные транзисторы малой мощности:

Цоколевка транзисторов.

Биполярные транзисторы средней и большой мощности:

Цоколевка биполярных транзисторов.

Цоколевка полевых транзисторов.

РЕЖИМЫ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

На каждый p-n-переход транзистора может быть подано как прямое, так и обратное напряжение. В соответствии с этим различают четыре режима работы биполярного транзистора.

1. В инверсном активном режиме переход БК открыт, а ЭБ наоборот — закрыт. Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко.

2. В режиме насыщения оба перехода находятся под прямым смещением. В этом случае выходной ток не зависит от входного и определяется только параметрами нагрузки. Цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки.

3. В режиме отсечки оба перехода транзистора закрыты, т.е. ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается. Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи.

4. В барьерном режиме база напрямую или через малое сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор. Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзисторов.

Читайте так же:
Для чего нужна обмазка на электроде

Транзистор кт815

Структура npn. Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50. Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5. Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40. Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3. Максимальная расс.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор c1815 0.15 a в корпусе sot23

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор S9014 (NPN, 0.1А, 45В)

КТ816Г Транзистор по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Биполярный транзистор кт817г 100в 3а 10вт to-.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Артикул: ac-512, 2sc1815, SMD, NPN биполярный транзистор 50В 0.15A (C1815) [SOT-23], HF, ABC, Транзистры биполярные, Peregrine Semiconductor

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

2sc1815, SMD, NPN биполярный транзистор 50В 0.

Транзистор КТ829А (18г. Бянск) по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор КТ829А (18г. Бянск)

Транзистор технические характеристики транзистора КТ818ГМ: Структура транзистора: p-n-p; Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; Максимально.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор 2sc1815 npn 0.15а 50в

Описание товара временно отсутствует

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор ss8550 в корпусе sot 23.

Артикул: ac-38982, 2SC1815-GR, Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.15А [TO-92], ABBYY, Биполярные (BJTs) транзисторы, ABC, , C1815

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

2SC1815-GR, Биполярный транзистор, NPN, 50В.

Артикул: ac-32163, 2SC1815GR, Транзистор NPN 50В 0.15А [TO-92], ABC, Транзисторы, ABC

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

2SC1815GR, Транзистор NPN 50В 0.15А [TO-92]

Артикул: ac-38989, SS8050CBU, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А,[TO-92], ABC, Биполярные (BJTs) транзисторы, ABC, , S8050

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

SS8050CBU, Биполярный транзистор, NPN, 25 В.

Характеристики: Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транз.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э. (Uкбо макс), В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б. (Uкэо макс), В 300 Максимально допустимый ток к (Iк макс.А) 0.5 Статический коэффициент пе.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Артикул: ac-511, S9012, Транзистор биполярный NPN, [SOT-23], 2T1, ABC, Транзистры биполярные, Peregrine Semiconductor

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

S9012, Транзистор биполярный NPN, [SOT-23], 2.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор ss9018 sot23

Транзистор IRF7821TR по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор КТ863Б по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

BC847C, 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R NPN 45В 0.1А Кус.=420-800 Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление) радиоэлектронный компонент, способный усиливать слабые электрические сигналы. Технические характеристики транзистора С1815 NPN Тип — NPN Макс. напр. коллектор-база при заданном обратном токе коллекто.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Читайте так же:
Белые чугуны отличаются от серых

Биполярный транзистор C1815 NPN, 5 шт

Биполярный pnp транзистор. используется в приемнике globo x80. используется в формировании управляющих напряжений для питания lnb ( 22 кгц

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Технические параметры Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 2.9мм Transistor Configuration Одинарный Запирающий ток сток-исток Idss 50 → 150mA Производитель ON Semiconductor Тип корпуса SOT-23 Тип монтажа Поверхностный монтаж Минимальная рабочая температур.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Характеристики:Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 80ВМакс. напр

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор 2SC5707 (NPN, 8А, 50В)

Транзистор NPN, биполярный, 45В, 1А, SOT89

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор NPN, биполярный, 45В, 1А, SOT89 NX.

Описание товара временно отсутствует

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор 2sb772p. биполярный pnp транзистор.

Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент передач.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

S8550 Транзистор биполярный NPN 25 В 0.5A 1 Вт TO-92 по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

S8550 Транзистор биполярный NPN 25 В 0.5A 1 В.

2N2222 Транзистор биполярный TO-92 по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

2N2222 Транзистор биполярный TO-92

2SC945 Транзистор NPN 50В 0.1А 0.25Вт TO-92 по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

2SC945 Транзистор NPN 50В 0.1А 0.25Вт TO-92

Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к (Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Характеристики транзистора A1015: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмитт.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор A1015 (PNP, 0.15А, 50В) MCIGICM

SS8050 Биполярный транзистор NPN 25 В 1.5 А (TO-92) по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

SS8050 Биполярный транзистор NPN 25 В 1.5 А (.

Транзистор IRF7301TRPBF по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор IRF7809AVTR по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h.

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление) радиоэлектронный компонент, способный усиливать слабые электрические сигналы. Технические характеристики транзистора S9013 NPN Тип — NPN Макс. напр. коллектор-база при заданном обратном токе коллекто.

Транзистор кт815б

Серию КТ825 относят к полупроводниковым триодам с p-n-p-проводимостью. Но на самом деле они представляют собой устройства состоящее из двух таких структур, собранных в едином корпусе по схеме Дарлингтона. В СССР их ещё называли — составными.

Максимальные эксплуатационные значения

КТ825Г является лучшим по параметрам транзистором в своей серии, если не рассматривать его аналог 2Т825. Он имеет наибольшие значения предельно допустимых режимов эксплуатации среди «собратьев». Рассмотрим их поподробнее:

  • максимальное постоянное напряжение: К-Э — до 90 В; Б-Э – до 5 В;
  • коллекторный ток: постоянный от 20 А; импульсный до 40 А;
  • рассеиваемая мощность на коллекторе: до 125 Вт (с радиатором); до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла не более 40 Вт;
  • температура: p-n-перехода до +150°С; окружающей среды от -40 до +100 °C.

Электрические характеристики

Электрические параметры КТ825Г тоже неплохие, по сравнению с другими серии. Согласно данным из даташит, он имеет лучшие показатели статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (H21э) от 600 до 25000 и пробивное напряжение К-Э до 90В. Такие величины H21э обусловлены его составной структурой. Эти и другие характеристики устройства представлены в таблице ниже, исходя из условий его работы указанных в отдельном столбце.

Читайте так же:
Бензопила партнёр 350 ремонт видео

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары во многих технических решениях используется составной КТ827А, имеющий NPN-проводимость.

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Самые длинные названия применяют:

  • американская фирма Motorola,
  • японская Seiko Instruments
  • тайваньская Pan Jit.

Аналоги

Выбор аналога для КТ825Г зависит от схемы в которой он используется. В любом случае полной его копии не существует и прототип BDX88 уже не производится. При этом, для большинства ситуаций подходят такие импортные транзисторы: 2N6052, MJ11013, MJ11015, 2N5884

Для его замены в выходных каскадах усилителей, в первую очередь стоит обратить внимание на российский 2Т825А или на эквивалентную конструкцию их двух биполярников КТ814Г и КТ818В

Часто, для ремонта или модернизации популярного УНЧ Солнцева (Квод-405) вместо КТ825Г применяют зарубежные дарлингтоны: MJ11015, TIP147, BDV64B. При таком подходе в данном усилителе также рекомендуют поменять его комплементарник КТ827А и тоже на импортные аналоги. Соответственно подойдут: MJ11016, TIP142, BDV65B. Стоит учитывать, что коллекторный ток у двух последних значительно меньше (до 10 А), чем у рассматриваемого. Но при этом считается, что качество звука в этом случае будет на много лучше.

Бывают и другие случаи, когда вместо дорогого импортного транзистора дарлингтона довольно успешно применяют наш КТ825Г. Например, его нередко используют для замены мощных Т1829-1 и FW26025A1, которые установлены для регулировки напряжением на вентиляторах в автомобильных блоках управления отоплением Valeo 833817E.

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

МаркировкаPolStructPdUdsUgsUgs(th)IdTjQgTrCdRdsCaps
22N20NMOSFET15620030221503002200.12TO220 TO220F
2SK3555-01MRNMOSFET952503037150302200.1TO220F
2SK3607-01MRNMOSFET3720030181502.61100.17TO220F
2SK3926-01MRNMOSFET952503034150192200.11TO220F
AOTF27S60NMOSFET50600302715033800.16TO220F
AOTF29S50NMOSFET50500303.92915039880.15TO220F
AOTF42S60NMOSFET50600303.83915040531350.099TO220F
AOTF42S60LNMOSFET37.9600303.83915040531350.099TO220F
F21F60CPMNMOSFET60600303.52115039601000.165TO220F
F25F60CPMNMOSFET70600303.52515053701200.125TO220F
FCPF099N65S3NMOSFET43650304.5301505720500.099TO220F
FCPF125N65S3NMOSFET38650304.5241504425400.125TO220F
FCPF22N60NTNMOSFET3960030422150450.165TO220F
FDPF18N20FNMOSFET4120030518150502000.14TO220F
FDPF18N20FTNMOSFET4120030518150200.14TO220F
FDPF18N20FT_GNMOSFET3520030181500.14TO220F
FDPF2710TNMOSFET62.525030525150780.0425TO220F
FDPF33N25TNMOSFET372503053315036.80.094TO220F
FDPF33N25TRDTUNMOSFET37250305331500.094TO220F
FDPF39N20NMOSFET3720030539150380.066TO220F
FDPF39N20TLDTUNMOSFET3720030523.41500.066TO220F
FDPF44N25TNMOSFET3825030544150470.069TO220F
FDPF44N25TRDTUNMOSFET38250305441500.069TO220F
FDPF51N25NMOSFET3825030528150550.06TO220F
FDPF51N25RDTUNMOSFET38250305511500.06TO220F
FMV24N25GNMOSFET652503052415036222000.13TO220F
FQPF18N20V2NMOSFET4020030518150201332000.14TO220F
FQPF19N20CNMOSFET432003041915040.50.17TO220F
FQPF19N20CYDTUNMOSFET432003041915040.51501950.17TO220F
FQPF32N20CNMOSFET502003042815082.50.082TO220F
FS20KM-5NMOSFET4025030200.15TO220FN
GP1M018A020XXNMOSFET942003051815018301800.17TO220 TO220F
IRFI4229NMOSFET462503019730.046TO220FP
MTN18N20FPNMOSFET412003018150661540.08TO220FP
NCE65T130FNMOSFET356503042815037.5121200.13TO220F
NTPF082N65S3FNMOSFET48650305401507027700.082TO220F
RCX200N20NMOSFET4020030520150401001200.13TO220FM
RCX220N25NMOSFET4025030522150601001700.14TO220FM
RCX300N20NMOSFET4020030530150601602000.08TO220FM
RCX330N25NMOSFET402503033150802002200.077TO220FM
SIHA25N50ENMOSFET355003042615057361050.145TO220FP
SIHF23N60ENMOSFET356003042315063381190.158TO220FP
SIHF28N60EFNMOSFET396003042815080401230.123TO220FP
SMK1820FNMOSFET3520030181501302270.17TO220F
SMK1820FJNMOSFET3520030181501302270.17TO220F
STF30NM60NNMOSFET406003042515091242100.13TO220FP
TK22A65X5NMOSFET45650304.5221505020600.16TO220F

Всего результатов: 47

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы

голоса
Рейтинг статьи
Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector